碳化硅肖特基二极管B3D50120H2高速开关与低损耗的完美结合

碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，与传统的硅基器件相比，具有更优越的性能。碳化硅的宽禁带(3.26eV)、高临界场(3×106V/cm)和高导热系数(4.9W/cm·K)使得功率半导体器件效率更高，运行速度更快，并且在设备的成本、体积、重量等方面都得到了降低。碳化硅肖特基二极管，提供TO-247-2封装，具有优越的性能和极高的工作效率。

B3D50120H2产品特性：

低漏电流（IR）

零反向恢复电流

与温度无关的开关行为

VF上的正温度系数

高浪涌电流容量

低电容电荷

B3D50120H2产品优势：

零反向恢复

抗浪涌电流能力强

高温反向漏电低

雪崩耐量高

B3D50120H2产品运用领域：

开关电源（SMPS）

不间断电源

服务器/电信电源

功率因数校正

太阳能