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【信号发生器(二)】

学习目标:

非正弦信号产生电路


学习内容:

非正弦信号的产生

基本单元:双稳态触发器+延时网络(“1”延时与“0”延时,利用电容来延时)
触发器输出的“0”和“1”对应着驰和张,故称驰张振荡器。

驰张振荡器

驰张振荡器又分为施密特触发器型和射极耦合多谐振荡器型,前者适用于低频(1M),后者可以达到数十兆。

施密特触发器型
电压比较器时一个能够识别、判断两输入端差模电压极性的电路:正极性为“1”,负极性为“0”;由于输入与输出的关系,电压比较器可以看着一位的数模转换器(ADC)。
简单的电压比较器包括反相比较器(Vi<VR时,Vo=“1”)、同相比较器(Vi>VR时,Vo=“1”)、过零检测器(Vi>0时,Vo=“1”)。
在这里插入图片描述
采用单门槛比较器时,存在固有缺陷,在控制的临界点会发生振荡(不知道怎么判断),于是引入两个比较阈值,当比较器输出“1”,比较门槛为上门坎,当比较器输出“0”,比较门槛为下门坎。
在这里插入图片描述
由于特性传输曲线存在一个迟滞区,所以称之为迟滞比较器(施密特触发器),上下门槛之差为门限宽度,决定了系统的抗干扰能力。

迟滞比较器实例一

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阈值电压为基准电压与输出电压的叠加
在这里插入图片描述
门限宽度VH=(VOH-VOL)R1/(R1+R2)

迟滞比较器实例二

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T1、T2工作于大信号开关状态,门坎电压Vth=Vbe+VRE。所以有:
在这里插入图片描述

施密特触发器型迟滞振荡器基本结构

在这里插入图片描述
以施密特触发器为基本单元,Rt1、Ct构成充电回路,Rt2、Ct、开关K构成放电回路。
其中T充=Rt1Ct,T放=(Rt1||Rt2)Ct。
占空比T充>T放,占空比达不到百分之五十。
VC输出非线性锯齿波。
正常工作条件:Vth>Vtl,充电期间,充电电压能超过上门坎, VCC*Rt2/(Rt1+Rt2)<Vtl。

若要实现任意占空比与线性锯齿波:
利用充放电恒流源来调节:
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充电电流为Io1,放电电流为Io2-Io1,当Io2=2*Io1,占空比为百分之五十。
VC与VO两路输出具有90°相位差——正交特性。

方波产生电路

方波的基本特征:正负峰值对称,占空比百分之五十。采用运放构成迟滞电压比较器,作为方波产生电路的双稳态触发器。
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有VOH=-VOL=VZ。
Vth=-Vtl=VZ*R1/(R1+R2)。

进一步完整电路:
在这里插入图片描述
R4、C构成反馈网络,VC为迟滞比较器输入信号,电容两端电压为非线性锯齿波,比较器输出方波。
当VC=0,VO=“1”,VR1=VOH,维持“1”,VO=+VZ,VZ向Ct充电,V-↑,当V-=Vth,翻转,VZ=“0”,VR1=VOL,维持“0”,VO=-VZ,Ct向VZ充电,当V-=VOL,再次翻转。
振荡周期:T=2R4Cln(1+2R1/R2)
VC与VO两路输出具有90°相位差——正交特性。

压控振荡器VCO

在驰张振荡器中,影响频率的因素①电流②Ct③VH=Vth-Vtl。其中,控制电流最为方便,控制电容为其次(利用变容二极管),一般不控制门坎。
在这里插入图片描述
当VC电压高于VC+Vth(Vth为二极管门槛电压,VC+Vth为施密特上门坎电压)时,充电回路断开,开关闭合,开始放电,利用镜像电流源,Ct开始放电,放至门坎电压时,输出电位翻转,开关断开,电容继续充电。

施密特型VCO的特点:
结构简单,具有正交输出特性,工作频率低。
应用:如上图NE565结构。
门坎电压在工作过程中转换形成,存在瞬态效应,随着振荡频率升高,频率稳定性下降。改进:采用上、下比较器结构,固定上、下门坎。典型应用:集成时基电路555。
在这里插入图片描述


http://www.mrgr.cn/news/61118.html

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