光致发光(Photoluminescence, PL)入门版
默认已经知道了概念,分类,过程,用途
目录
- 按照带隙分类
- 直接带隙发光的基本原理
- 间接带隙发光的基本原理
- 具体步骤
- 1 样品准备
- 2 激发光源选择
- 3 光路和光学系统设置
- 4 测量与检测
- 5 数据处理和分析
- 光致发光光谱的分析
- 1. 光谱的峰值位置
- 2. 峰的强度
- 3. 半高宽(FWHM)
- 4. 光谱的归一化和背景扣除
- 5. 温度依赖性分析
- 6. 与其他表征方法结合
- 应用
按照带隙分类
直接带隙光致发光和间接带隙光致发光
直接带隙发光的基本原理
- 入射激光光子的能量高于材料本身的带隙能量,
半导体处于激发态,入射的光子会被吸收, - 在导带顶部和价带底部形成带电子和空穴,
激发的电子和空穴不能稳定存在, - 电子向着价带的最小值(即本征态)进行能量和动量的弛豫,最终与空穴复合,释放光子(部分以非辐射的方式)
间接带隙发光的基本原理
- 激发,产生电子空穴
- 激发后的电子和空穴不在相同的动量空间内,在弛豫的过程中,电子向基态进行跃迁时,由于动量空间的不匹配,电子会与晶格中的声子产生相互作用来进一步进行跃迁,
- 最后在不停的跃迁过程中回到基态与空穴进行复合发光
补充:在这种跃迁过程中会消耗掉光子大量的能量,并转换成其他类型的能量,主要以热能为主。
具体步骤
1 样品准备
材料准备:选择适合研究的样品,例如:半导体材料、量子点、有机发光材料
样品处理:根据需要对样品进行清洗、涂覆或其他处理,确保表面的清洁、光滑
2 激发光源选择
光源选择:选择合适的激发光源(如激光、LED),波长应在材料的吸收范围内。常用的激光波长包括紫外光、可见光。
激发强度控制:确保光致发光信号清晰且不过饱和。
3 光路和光学系统设置
光路设计:使用透镜、分光器等光学元件,将激发光源准确聚焦到样品表面。
过滤器选择:在检测路径上加入适当的滤波器,以消除激发光的干扰,仅让样品发出的光进入检测器。
4 测量与检测
检测器:常用的检测器有光电倍增管(PMT)、CCD探测器或光谱仪,他们可以将样品发出的光信号转化为可分析的数据。
信号收集:样品被激发后,收集发出的光,通过检测器进行记录。
5 数据处理和分析
光谱分析:通过光谱仪获得样品的光致发光光谱。分析光谱中峰值的波长、强度和半宽等信息,可以了解材料的能带结构、缺陷态和杂质等特性。
时间分辨分析(可选):若研究样品的荧光寿命,可以进行时间分辨的光致发光测试,测量发光随时间的衰减曲线。
光致发光光谱的分析
1. 光谱的峰值位置
峰值波长或能量:PL光谱中,发光峰的位置(通常以波长或能量表示)可以揭示材料的带隙大小或电子跃迁的能量。
带边发光:如果光谱中有一个接近带隙能量的峰,这通常对应于带边发光(band-edge emission),表明载流子从导带向价带的直接跃迁。
缺陷发光:光谱中出现低于带隙的峰
2. 峰的强度
相对强度:反应发光效率。强度越高表明样品的发光效率越高。
峰之间的强度比较:如果光谱中存在多个峰,可以比较他们的相对强度,判断主发光机制。例如,带边发光峰强度高,说明样品质量较好;而缺陷发光强度高,说明样品中缺陷较多。
3. 半高宽(FWHM)
峰的宽度:光谱峰的半峰全宽(Full Width at Half Maximum, FWHM)可以用来评估样品的质量。较窄的峰通常表明材料晶体质量较高,杂质和缺陷较少;而较宽的峰则可能暗示样品内部存在杂质、缺陷或者合金化效应。
温度依赖性:通过不同温度下的PL光谱来观察FWHM的变化,可以进一步研究载流子在样品中的复合过程。
4. 光谱的归一化和背景扣除
归一化:为了比较不同样品或不同测试条件下的光谱,需要对光谱进行归一化处理,使其最大峰值强度一致。
背景扣除:PL光谱中可能存在背景信号(如激发光的残余或散射光),需要将其扣除以得到纯净的发光信号。
5. 温度依赖性分析
通过改变测试温度(例如在低温下测量),可以了解材料发光峰的温度漂移和强度变化。
带隙的变化:温度升高时,带隙通常会减小,导致PL峰向长波长方向移动。
热淬灭效应:随着温度的升高,PL强度可能会降低,这是由于非辐射复合增强导致的“热淬灭”效应。
6. 与其他表征方法结合
与X射线衍射(XRD)或扫描电子显微镜(SEM)结合:可以验证样品的晶体结构和表面形貌,辅助解释PL光谱中可能的缺陷或杂质峰。
与拉曼光谱结合:PL和拉曼光谱结合使用可以更全面地了解材料的结构、应变状态和化学成分。
应用
- 日光灯
- 组分测定:对三元系或四元系合金,如InxGa1-xN等,通过PL峰位确定半导体材料的禁带宽度,进而确定材料组分;
- 杂质识别:通过测量材料的光致发光光谱,标定特征谱线的位置,可以识别材料中的杂质元素,以及对杂质浓度进行测定等;
- 生物荧光标记
- 位错等缺陷研究:光致发光可以提供有关材料的结构、成分及环境原子排列的信息,是一种非破坏性的、灵敏度高的分析方法。光致发光光谱可以用来研究晶体缺陷,例如原子空位和取代,这对于像金刚石和碳化硅(SiC)这样的材料尤其重要。
- 变温PL可以测试材料/器件的发光效率
- 半导体材料的少数载流子寿命等。